1．为什么要进行混合信号器件测试？

答：

1）由于混合信号电路设计复杂，对设计经验的依赖性强，容易产生设计缺陷。

2) 实际集成电路的各种非理想物理特性不完全受半导体制造商控制。工艺影响许多重要的模拟和混合信号电路特性。

3）封装工艺工程中可能造成器件性能不良，如划片、键合等。

4）用户使用肯能造成器件损伤，需要测试和分析。

2．为什么要进行连续性测试(也称为接触测试或开短路测试)？

答：

（1）以验证所有电气连接是否正常。如果不进行连续性测试，生产人员就不能区分不良批次硅片和有缺陷的测试硬件连接。且好的器件可能仅仅因为弹簧针弯曲或继电器有缺陷而被拒绝，产生误判。

（2）快速检测出DUT是否存在电性物理缺陷，如引脚短路、bond wire缺失、引脚的静电损坏、以及制造缺陷等。

3．什么是漏电，为什么要进行漏电测试？

答：当电压施加于高阻抗模拟或数字输入引脚时，通常会有少量的电流漏进或漏出PIN脚，这种电流称为漏电电流，或简称漏电。

检测漏电的意义在于：

1）可检测出缺陷工艺制造的集成电路。

晶体管常开，晶体管常闭，删氧化层短路，互联桥接短路，测试延迟故障等。

2）漏电可造成器件工作异常或参数飘移。

3）可发现器件的早期失效。

4．下图为LDO过温保护电路原理图，如何进行过温保护，为什么要采用迟滞比较器？

答：LDO过温保护是利用PN接的负温度系数特性设计的，即PN结的正向压降随温度的升高而降低， pn节（硅）电压大约每度下降2mv。

如图所示，常温时，设迟滞比较器的输出VTHE为高，LDO调整管正常工作，LDO输出正常，此时MOS管MTHE为导通状态，比较器负端电压为IBIAS2×RTHE2。

当温度升高时，二极管QTHE的BE节温度下降，当VBE,QTHE降到IBIAS2×RTHE2时，比较器输出翻转，VTHE为低，LDO调整管关闭，LDO输出电压为低，此时MOS管MTHE变为关断状态，比较器负端电压变为IBIAS2×（RTHE2+ RTHE1）即比较器阈值变大。

由于调整管关断，LDO降温，则VBE,QTHE升高，当到达IBIAS2×（RTHE2+ RTHE1）时，比较器输出翻转，VTHE为高，LDO调整管正常工作，LDO输出正常，此时MOS管MTHE为回导通状态，比较器负端电压为IBIAS2×RTHE2，和常温状态相似。

过温保护采用迟滞比较器是为了防止温度保护模块对温度过于敏感，若温度在比较器阈值对应的阈值温度点小幅变化，比较器输出则会反复变化，引起调整管反复关断打开，工作不稳定。如上述分析，迟滞比较器阈值电压的跳变产生迟滞，可以避免此问题。

5．下图为某可调的基准电路，简述修调原理。

答：1）先通过旁路模式控制信号使旁路模式修调值有效，得到预修调基准电压，

若未达到要求，可反复试验确定最佳的修调值。

2）按照确定好的修调值烧写熔丝，烧写不可恢复。

3）在正常运行时，旁路修整值是禁用的，按照烧好熔丝来控制参考电压。

6．简述DSP测试的优点。

答：基于DSP测试具有以下优点：

1）减少测试时间